發(fā)布時間：2012-09-28來源：
在東微半導體團隊的堅持和不懈努力下，2012年9月，世界上首個半浮柵晶體管（Semi-Floating gate Transistor）被研制成功，作為一種新型的基礎器件，半浮柵晶體管可應用于SRAM（即靜態(tài)隨機存儲器）和DRAM（即動態(tài)隨機存儲器領域）。半浮柵晶體管還可以應用于主動式圖像傳感器芯片（APS），由單個半浮柵晶體管構成的新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，感光單元密度提高，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到提升。
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